no-img
سیستم همکاری در خرید و فروش فایل نگزاوار

تعیین ساختار نواری نقطه کوانتومی وسیم کوانتم در تابع پوش چند نوار

help

سوالی دارید؟09369254329

سیستم همکاری در خرید و فروش فایل نگزاوار
بهترین ها از دید دانش آموزان
آشنایی با سیستم خرید،فروش و بازاریابی نِگزاوار

گزارش خرابی لینک
اطلاعات را وارد کنید .

ادامه مطلب

فرمالیسم تحلیلی برای تعیین ساختار نواری نقطه کوانتومی و سیم کوانتومی
امتیاز 5.00 ( 1 رای )
zip
تیر ۱۲, ۱۳۹۵
10 ص انگلیسی
21 ص فارسی
قابل ویرایش

فرمالیسم تحلیلی برای تعیین ساختار نواری نقطه کوانتومی و سیم کوانتومی


Analytical formalism for determining quantum-wire and quantum-dot band structure in the multiband envelope-function approximation

فرمالیسم تحلیلی برای تعیین ساختار نواری نقطه کوانتومی و سیم کوانتومی

چکیده فارسی

ما فرمالیسم جدیدی برای تعیین حالت­های انرژی نقطه­های کوانتومی کروی و سیم­های کوانتومی استوانه­ای در تقریب تابع پوش چند نواری تشریح کردیم. روش ما بر اساس یک فرمول­بندی تازه از تئوری K.Pدر یک مبنا از حالت­های انرژی از اندازه حرکت زاویه­ای کلی است. حالت­های ساکن با ترکیب بردارهای ویژه و وارد کردن شرایط انطباقی در سرتاسر سطح مشترک چندساختاری شکل می­گیرند که رابطه­های تفرق برای انرژی­های ویژه[۱] سیم­های کوانتومی و نقاط کوانتومی را ارائه می­دهد. حالات حدی برای نوار رسانایی و حفرات سنگین و سبک جفت­شده به عنوان تابعی از شعاع برای نقطه کوانتومی GaAs/AlxGa1-xAsمورد مطالعه قرار گرفت. نشان داده شد که کوپل نوار رسانایی-نوار والانس در یک نقطه کوانتومی InAs/GaSb نوع II بحرانی است که در اینجا برای اولین بار مورد مطالعه قرار گرفت. تفرق والانس-زیرنوار سیم کوانتومی و جرم­های موثر برای سیم­های GaAs/AlxGa1-xAs چند شعاع تعیین شد. مشخص شد که جرمها در یک مدل چاه نامحدود[۲]مستقل از شعاع سیم هستند، اما به برای یک چاه محدود شدیداً به شعاع سیم بستگی دارند، جرم موثر بالاترین انرژی زیرنوار والانس تا ۰٫۱۶m0 کم بود. مفاهیم تأثیرات جفت نمودن نوار بر اجزای ماتریس اپتیکی در سیم­ها و نقاط کوانتومی مورد بحث قرار گرفتند.

چکیده انگلیسی

We describe a new formalism for determining energy eigenstates of spherical quantum dots and
cylindrical quantum wires in the multiple-band envelope-function approximation. The technique is
based upon a reformulation of the K · P theory in a basis of eigenstates of total angular momentum.
Stationary states are formed by mixing bulk energy eigenvectors and imposing matching conditions
across the heterostructure interface, yielding dispersion relations for eigenenergies in quantum wires
and quantum dots. The bound states are studied for the conduction band and the coupled light and
heavy holes as a function of radius for the GaAs/AlxGa 1 ~,As quantum dot. Conductionband-
valence-band coupling is shown to be critical in a “type-11” lnAs/GaSb quantum dot, which
is studied here for the first time. Quantum-wire valence-subband dispersion and effective masses are
determined for GaAs/Al,Ga1-xAs wires of several radii. The masses are found to be independent
of wire radius in an infinite-well model, but strongly dependent on wire radius for a finite well, in
which the effective mass of the highest-energy valence subband is as low as 0.16m 0 • Implications of
the band-coupling effects on optical matrix elements in quantum wires and dots are discussed.

 

قسمت هایی از متن انگلیسی

INTRODUCTION

The rapid progress of experimental efforts to fabricate quantum wires and quantum dots (the two- and threedimensional analogues of the conventional quantum well in zinc-blende-structure semiconductors) is a strong impetus to develop theoretical techniques for their study. In this paper we present a complete account of a new analytical method for this problem, first presented by the authors in Refs. 1 and 2. We show how to determine simple expressions for eigenstates and eigenenergies of the spherical quantum dot and the cylindrical quantum wire, rigorousl incorporating band-coupling effects, through simple dispersion relations accessible to experimentalists, in contrast to complex numerical procedures previously required

  1. CONVENTIONAL TECHNIQUES FOR STUDYING QUANTUM CONFINEMENT EFFECfS IN SEMICONDUCfORS

Prior to the introduction of our technique, theoretical analyses of conduction- and valence-band states in quantum wires and dots employed either the simple one-band effective-mass analysis used initially in this field, or computational approaches based on the standard multiband envelope-function theory. The former approach, while of great value in the study of conduction-band states, breaks down fundamentally in the study of the valence bands as well as the conduction band in narrow-band-gap semiconductors. Studies which use this technique to calculate optical matrix elements and gain6•۷ and exciton states8 – ۱۰ entirely neglect band coupling, which has a profound effect on the valence-subband structure in quantum wells 11 and as shown in this work, quantum dots and quantum wires

ELECTRONICSTRUCTURE OF THE SPHERICAL QUANTUM DOT

Since the spherical quantum-dot heterostructure is an isotropic potential, F and F z remain good quantum numbers. Thus the quantum dot may be very simply modeled by considering the band-structure parameters in our Hamiltonian subblocks as functions of the radial coordinate p. The states are governed by the Hamiltonian matrices H F, F in each separate total angular momentum subspace. Consequently, the approach is algebraic, and, with only minor exceptions, is identical to that used in standard heterostructure envelope calculations.

قسمت هایی از متن فارسی

  1. مقدمه

پیشرفت سریع تلاش­های آزمایشگاهی برای ساخت نقاط و سیم­های کوانتومی (شباهت­های دوبعدی و سه­بعدی چاه کوانتومی متداول در نیمه­رساناهای ساختار بلندِ روی[۱]) انگیزه­ای قوی برای توسعه روش­های تئوری برای مطالعات­شان است. در این مقاله ما یک محاسبه دقیق از چند روش تحلیلی جدید برای این مسئله را ارائه کردیم. ما چگونگی تعیین عبارات ساده برای حالت­های انرژی و انرژی­های ویژه نقطه کوانتومی کروی و سیم کوانتومی استوانه­ای، مشارکت تأثیرات کوپل نوار، از طریق رابطه­های تفرق ساده از طریق اهالی آزمایش را نشان دادیم، در مقابل فرآیندهای عددی پیچیده که قبلاً مورد نیاز بود.

روش­های معمول برای بررسی تأثیرات حدود کوانتومی در نیمه­رساناها

قبل از معرفی روش خود، تحلیل­های تئوری حالت­های نوار والانس و رسانایی در نقاط و سیم­های کوانتومی بکار گرفته شده در تحلیل جرم موثر ساده و نیز روش­های محاسباتی براساس تئوری تابع پوش چندنوار استاندارد معرفی شدند. روش قبلی، در حالیکه ارزش زیادی در بررسی حالت­های نوار رسانایی دارد، در بررسی نوارهای والانس همچنین نوار رسانش در نیمه­رساناهای با گاف نواری باریک با شکست روبه رو می­شود. بررسی­هایی که این روش را برای محاسبه اجزای ماتریس اوپتیکی و حالت­های اکسیتون[۲] مورد استفاده قرار می­گیرند به طور کامل اتصال نواری را نادیده می­گیرند، که اثری عمیق بر ساختار زیرنوار والانس در چاه­های کوانتومی دارد و آنچنان که در این کار نشان داده شده است بر سیم­ها و نقاط کوانتومی.

. روش تابه پوش در مسائل تقارن مرکزی[۳]

نقطه شروع روش­های تابع پوش که بطور موثری در بررسی چاه­های کوانتومی و ناخالصی­های کولنی مورد استفاده قرار می­گیرد تئوری K.P ساختار نواری است. روش با شکل بلوخ[۴] برای حالت­های انرژی یک پتانسیل دوره­ای شروع می­شود.

. ساختار نواری یک معرف کروی

در بخش III دیدیم که مجموعه­ای از عملگرها (H, F2,Fz) از مجموعه کاملی از مشاهده­پذیرهای رفت و آمد برای هامیلتونی ساختار نواری در غیاب اتصال نواری دور دست ناهمسانگرد است. این مورد به طور مستقیم این مطلب را می­رساند: ما انتظار داریم هامیلتونی سیستم دو ذره­ای ما با توجه به اندازه حرکت زاویه­ای در غیاب برهم­کنش­های ناهمسانگرد یک اسکالر باشد.

ساختار الکترونی نقطه کوانتومی کروی

از آنجا که نقطه کوانتومی کروی چند ساختاری یک پتانسیل همسانگرد است، F و Fz عددهای کوانتومی خوب باقی می­مانند. در نتیجه نقطه کوانتومی می­تواند با در نظر گرفتن پارامترهای ساختار نواری در زیربلاک­های هامیلتونی ما به عنوان تابعی از مختصات شعاعی  بسیار ساده مدل­سازی شود. حالت­های بوسیله ماتریس­های هامیلتونی  در هر شبه­فضای[۵] اندازه حرکت زاویه­ای کل جداگانه کنترل می­شود. در نتیجه، این روش جبری است، و، با تنها چند استثنا جزئی، در محاسبات پوش چندساختاری استاندارد به طور مشابه استفاده می­شود.

[۱] zinc-blende-structure

[۲] exciton

[۳] CENTROSYMMETRIC

[۴] Bloch form

[۵]subspace

 

امنیت پرداخت و ضمانت ها

خرید و دانلود فوری

فایل انگلیسی و فایل ترجمه شده
9000 تومان برای دریافت نسخه کامل

10 صفحه انگلیسی

۲۱ صفحه فارسی

فرمت فایل انگلیسی PDF

فرمت فایل فارسی WORDوPDF

دارای ضمانت بازگشت وجه

بدون نیاز به ویرایش

INTRODUCTION

CONVENTIONAL TECHNIQUES FOR STUDYING QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS IN SEMICONDUCfORS

THE ENVELOPE-FUNCTION METHOD IN CENTROSYMMETRIC PROBLEMS

BAND STRUCTURE IN A SPHERICAL REPRESENTATION

ELECTRONICSTRUCTURE OF THE SPHERICAL QUANTUM DOT

چکیده

مقدمه

روش­های معمول برای بررسی تأثیرات حدود کوانتومی در نیمه ­رساناها

روش تابه پوش در مسائل تقارن مرکزی

ساختار نواری یک معرف کروی

ساختار الکترونی نقطه کوانتومی کروی

+ گزیده ای از فهرست انگلیسی

INTRODUCTION

CONVENTIONAL TECHNIQUES FOR STUDYING QUANTUM CONFINEMENT EFFECTS IN SEMICONDUCfORS

THE ENVELOPE-FUNCTION METHOD IN CENTROSYMMETRIC PROBLEMS

BAND STRUCTURE IN A SPHERICAL REPRESENTATION

ELECTRONICSTRUCTURE OF THE SPHERICAL QUANTUM DOT

+ فهرست فارسی

چکیده

مقدمه

روش­های معمول برای بررسی تأثیرات حدود کوانتومی در نیمه ­رساناها

روش تابه پوش در مسائل تقارن مرکزی

ساختار نواری یک معرف کروی

ساختار الکترونی نقطه کوانتومی کروی



درباره نویسنده

همیشه آرزو داشتم یک تیم را مدیریت و یک ایده خلاقانه را عملی کنم که خودم و ده ها نفر دیگر را به ثروت برساند . از طرفی یک منبع معتبر آموزشی و درآمد زا برای دیگران باشد . اکنون آن رویا ، " نگزاوار " نام دارد.

کامران کامران فر 53 نوشته در سیستم همکاری در خرید و فروش فایل نگزاوار دارد . مشاهده تمام نوشته های

دیدگاه ها


دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.